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Ufs 3.0, nuova versione di memoria flash: trasmissione di dati più veloce

Ufs 3.0, nuova versione di memoria flash: trasmissione di dati più veloce

Giungono alla versione 3.0 le nuove memorie flash (ufs) per i dispositivi mobili. Si parla di un dispendio di energia elettrica, con una trasmissione dati maggiori (a livello di 11,6 Gb/s a singola corsia). L’ultima versione dell’ufs (la 2.1) è disponibile su Samsung Galaxy 28, 28+ e Note 8. Potrebbe essere la stessa azienda a utilizzare la nuova versione per i prossimi dispositivi

Nuove memorie flash dalla versione 2.1 alla versione 3.0: più veloci, con l’utilizzo di meno energia. È quello che è stato ufficializzato nelle scorse ore dalla Jedec Solid State Technology Division, la società che produce lo standard dei semiconduttori, ha ufficializzato nelle scorse ore. Come ben sappiamo, le memorie flash sono sempre più diffuse e impiegate per diversi device: dai computer, agli smartphone, agli iPad e alle volte anche per decoder. Tuttavia, soprattutto ultimamente nel settore mobile (soprattutto nei migliori in circolazione), vengono aggiunti ai flagship poiché offrono delle performance maggiori rispetto ai eMMC, classici e più comuni semiconduttori ritrovabili nella maggior parte dei terminali. L’ultima versione (la 2.1), è disponibile su Samsung Galaxy S8, l’S8+ e il Note 8, già noti per essere dispositivi celeri con piccoli dispendi energetici. La versione 3.0 però è un enorme passo evolutivo, che permetterà di offrire delle prestazioni maggiori sia a livello di trasmissione dati, sia a livello di sicurezza.

Samsung testerà sui nuovi dispositivi?
A livello di confronto, infatti, il 3.1 agevola di molto i dispositivi: con il 3.1 si avrà una trasmissione dati fino a 11,6 Gb/s a singola corsia, fino a 23.2 Gb/s in doppia corsia. Il voltaggio è di 2,5 V rispetto ai precedenti, che arrivavano dai 2,7 ai 3,6 V: un raddoppio dunque di capacità ad un meno costoso dispendio di volt. In aggiunta, stando a quello che è stato spiegato dalla stessa azienda produttrice, le memorie Ufs 3.0 saranno capaci di mantenere la loro autonomia anche in presenza di sbalzi termici: saranno stabili anche a temperature sotto lo zero (max -40° C), a temperature oltre i 90°C, sfiorando il max di 105°C.

Sebbene gli Ufs 3.0 potrebbero essere impiegati per altri dispositivi, con maggiore probabilità saranno integrate nei telefoni di alta gamma. Un’innovazione che sarà possibile testare sicuramente solo nella seconda metà del 2018 e che, con grande probabilità, potremo vedere nei telefoni dell’azienda sudcoreana Samsung. Da alcuni fonti sembra che la società d’elettronica abbia anzi già avviato la produzione, per memorie Ufs 3.0 da rendere note già nel prossimo trimestre: ad ipotesi già il Samsung Galaxy Note 9 potrebbe essere il primo fortunato dispositivo ad integrare tale memoria.

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